| Type/Dopant 导电类型/掺杂元素 | N-Type/Si | P-Type/Zn |
| Dopant/掺杂元素 | As, Sb | Ga |
| Growth Method 长晶方式 | CZ | |
| Diameter 直径 | 2", 3", 4", 6" | |
| Orientation 晶向 | (100)±0.5° | |
| Thickness 厚度 (µm) | 175-500um±25um | |
| OF/IF 参考边 | US EJ | |
| Resistivity 电阻率 (ohm-cm) | 0.005-30 | 0.005-0.4 |
| Etch Pitch Density 位错密度(/cm2) | <300 | <300 |
| TTV 平整度 [P/P] (µm) | <15 | |
| TTV 平整度 [P/E] (µm) | <25 | |
| Warp 翘曲度 (µm) | <25 | |
| Surface Finished 表面加工 | P/P, P/E, E/E | |
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