Type/Dopant 导电类型/掺杂元素

N-Type/Si

P-Type/Zn

Dopant/掺杂元素

As, Sb

Ga

Growth Method 长晶方式

CZ

Diameter 直径

2", 3", 4", 6"

Orientation 晶向

(100)±0.5°

Thickness 厚度 (µm)

175-500um±25um

OF/IF 参考边

US EJ

Resistivity 电阻率 (ohm-cm)

0.005-30

0.005-0.4

Etch Pitch Density 位错密度(/cm2)

<300

<300

TTV 平整度 [P/P] (µm)

<15

TTV 平整度 [P/E] (µm)

<25

Warp 翘曲度 (µm)

<25

Surface Finished 表面加工

P/P, P/E, E/E