Type/Dopant 导电类型/掺杂元素

Semi-Insulated

P-Type/Zn

N-Type/Si

N-Type/Si

Application 应用

Micro Eletronic

LED

Laser Diode

Growth Method 长晶方式

VGF

Diameter 直径

2", 3", 4", 6"

Orientation 晶向

(100)±0.5°

Thickness 厚度 (µm)

 350-625um±25um

OF/IF 参考边

US EJ or Notch

Carrier Concentration 载流子浓度

-

(0.5-5)*1019

(0.4-4)*1018

(0.4-0.25)*1018

Resistivity 电阻率 (ohm-cm)

>107

(1.2-9.9)*10-3

(1.2-9.9)*10-3

(1.2-9.9)*10-3

 Mobility 电子迁移率 (cm2/V.S.)

>4000

50-120

>1000

>1500

Etch Pitch Density 位错密度(/cm2)

<5000

<5000

<5000

<500

TTV 平整度 [P/P] (µm)

<5

TTV 平整度 [P/E] (µm)

<10

Warp 翘曲度 (µm)

<10

Surface Finished 表面加工

P/P, P/E, E/E