英飞凌晶闸管/二极管盘 Thyristor/Diode Discs

广泛的产品组合包括环氧片式标准晶闸管和二极管、高功率晶闸管和陶瓷片式二极管。光触发晶闸管（LTT）结构十分紧凑，反应速度极快。因此，如果没有高功率晶闸管，高压直流耦合器就无法成为现实，因为两个电网无法通过交流链接实现耦合。子类别有：Diode Discs；Thyristor Discs；Welding Diodes；Accessories。

英飞凌晶闸管/二极管模块 Thyristor/Diode Modules

英飞凌为客户提供包括晶闸管和二极管在内的广泛的功率模块产品选择，电压和电流范围分别为1200 V至4400 V和61 A至1070 A。得益于针对性设计以及高度可靠的压力触点和焊接接缝技术，该模块系列可以兼顾成本和性能的优化需求。模块化结构下的标准晶闸管和二极管组合，双极功率半导体的适用范围极广，无论是几瓦级还是吉瓦级皆可胜任。

英飞凌晶闸管软起动器模块 Thyristor Soft Starter Modules

英飞凌软启动器模块系列能充分满足市场对经济划算的紧凑型半导体解决方案的需求。凭借其全新设计，Power Start专注于降低复杂性和减少元件数。它有系列电流等级。通过这AOA体育功能，可以将模块与旁路接触器直接集成于典型的设计空间。Power Start具有集成式散热器，可以方便安装，无需使用散热脂。该模块采用双面冷却模式，因此能承受最高过载电流。

英飞凌桥式整流器和交流开关 Bridge Rectifier & AC-Switches

提供采用端接设计的桥式整流模块，如EasyBRIDGE或eupec™ EconoBRIDGE™。可供选择的配置中包含配有IGBT和可选NTC电阻的全控和半控整流器。该产品系列覆盖了25 A至180 A电流区间，提供800 V和1600 V电压等级。 eupec™ IsoPACK™系列具有可调节负载端，包含全控、半控和不可控整流模块。三相交流开关使eupec™ IsoPACK™的产品区间更加完整。电流区间为85 A至205 A，电压等级为1600 V。

英飞凌CoolSiC™ 肖特基二极管

英飞凌碳化硅材料与硅材料的特性差异限制了100V-150V实际硅单极二极管（肖特基二极管）的制造，导通电阻和漏电流相对较高。在碳化硅材料中，肖特基二极管可以达到更高的击穿电压。英飞凌碳化硅产品系列覆盖 600V 和 650V 到 1200V 的肖特基二极管。

英飞凌功率组件

开发了大量功率组件产品，为客户量身定制成熟可靠的带散热器的功率组件系统。这些功率组件系列覆盖我们现有的三条Bipolar双极半导体器件，多达20多种的散热器冷却设计，系统阻断电压高达 20 kV、最大电流14 kA。凭借 25000 多种组件型号，我们与您携手，共同实现符合客户需求的最佳功率组件产品。完美协调的“Power Stack”组件产品 - Bipolar双极半导体器件与散热器一体安装的功率组件设计。

英飞凌硅二极管Silicon Diodes

英飞凌推出高功率600V/650V二极管产品，填补了SiC二极管和发射极控制二极管之间的空白，从而进一步扩充了硅功率二极管产品系列。Rapid 1及Rapid 2二极管与CoolMOS™和高速IGBT（绝缘栅双极晶体管）兼容，例如TRENCHSTOP™ 5产品和HighSpeed 3产品。

英飞凌二极管裸模Diode Bare Dies

英飞凌独特的快速恢复二极管技术，得益于超薄晶片和电场中止技术，以及降低IGBT的导通损耗和软恢复能力，发射极控制二极管非常适合消费类和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌IGBT技术进行了优化，是其理想之选。