意法IGBT

意法半导体提供齐全的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品组合，电压范围300 V至1700 V，采用平面穿通（PT）和沟槽式场截止（TFS）技术。IGBT属于STPOWER系列。意法半导体的IGBT在开关性能和通路状态行为（变体）之间实现了最佳均衡，适用于工业和汽车领域的应用，如通用逆变器、电机控制、家用电器、HVAC、UPS/SMPS、焊接设备、感应加热、太阳能逆变器、牵引逆变器、车载充电器 & 快速充电器。 我们的IGBT可以裸露晶片和封装为分立元件等形式提供。

意法功率MOSFET

意法半导体的功率MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-100到1700 V）、低栅极电荷和低导通电阻。意法半导体面向高压功率MOSFET（MDmesh™）和低压功率MOSFET（STripFET）的制程确保增强了功率处理能力，从而实现了高效解决方案。功率MOSFET属于STPOWER系列。

12V-30V低压MOSFET:了解我们的STripFET低压功率MOSFET—采用先进的封装，具有低栅极电荷和低导通电阻。30V-350V N-通道MOSFET:了解我们的中等电压STripFET N-沟道功率MOSFET 产品组，提供多种小型和大功率封装选项。350V-700V超结MOSFET:了解我们的MDmesh™ N-沟道超结MOSFET，采用标准和快速恢复二极管。700V-1700V高压和超高压MOSFET:了解我们的MDmesh™高压和超高压功率MOSFET，提高了功率处理能力，支持高效率解决方案。P沟道MOSFET:了解我们的STripFET P-沟道MOSFET，采用超小型封装，最近又添加了新型沟槽栅器件。

意法功率双极器件

意法半导体广泛的功率双极结型晶体管（BJT）是您节能型设计的完美选择。该系列产品包含达灵顿晶体管和VCES为15V~1700V的BJT。功率双极属于STPOWER系列。

意法半导体双极NPN / PNP晶体管的关键特性：快速开关时间和极低的饱和电压，降低了开关和导通损耗；集成式二极管，减少了元件数量；hFE参数控制完美，从而提高了可靠性；最佳性价比。

意法宽带隙晶体管

迈向更节能世界的下一个关键步骤是使用新材料，如宽带隙半导体（WBG），新材料可以提AOA体育源效率、减小产品尺寸和重量、降低系统成本，或同时实现所有这些优点。意法半导体提供最广泛的碳化硅（MOSFET）产品和技术组合，以及氮化镓基（增强型HEMT）器件，涵盖裸片、分立器件，以及属于STPOWER系列的模块。

GaN广泛应用于各种各样的AOA体育谐振拓扑中，帮助设计人员获得比现有技术高很多的效率。凭借其优异的性能，GaN HeMT（AOA体育子迁移率晶体管）将广泛应用于电动汽车，以及电压范围在100 V、650 V和 900 V 之间的工业、电信和特定消费应用。