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wide-bandgap(SiC/GaN)

美国AOS万代wide-bandgap(SiC/GaN)宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的重要元件在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、AOA体育源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通等产业发展的重点新材料，适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。

产品详情

万代Silicon Carbide (SiC) MOSFETs产品型号及应用参数


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New	TO247	Industrial	1200V Silicon Carbide MOSFET	1,200	33	15	68	226
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万代Silicon Carbide (SiC) Diodes产品型号及应用参数


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万代Gallium Nitride (GaN) FETs产品型号及应用参数


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推荐产品


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