交流/直流和隔离式直流/直流开关稳压器

利用我们适用于各种电源拓扑结构的控制器、转换器和模块产品系列优化电源转换。我们提供品类齐全的高性能交流/直流、隔离式直流/直流控制器、转换器和模块产品系列，这些产品具有广泛的电源拓扑选项。我们易于使用的器件可帮助您革新电源设计并使其脱颖而出，从而实现高效率、高功率密度和高性能的隔离式功率变换。按类别浏览：反激式控制器；隔离式 DC/DC 转换器；LLC 控制器；功率因数校正 (PFC) 控制器；PWM 控制器；SR 和负载共享控制器。

电池管理 IC

进一步发挥电池的潜力。借助我们的电池管理解决方案、工具和专业技术，您可以更轻松地设计效率更高、使用寿命更长且更可靠的电池供电型应用。我们的电池管理产品系列包括充电器、电量监测计、监控器和保护 IC，可用于工业、汽车和个人电子产品应用。按类别浏览：电池认证 IC；电池充电器 IC；电池电量监测；电池监测器和平衡器；电池保护器。

直流/直流开关稳压器

适用于任何应用的先进直流/直流电压转换解决方案。Play Video 开关稳压器是将一个直流电压转换为另一个直流电压的有效器件。此外，针对所有非隔离式直流/直流拓扑（降压、升压、降压/升压和反相拓扑），我们提供广泛的直流/直流转换器、电源模块和控制器产品系列供您选择，可帮助您有效提升电压稳压器 IC 的性能。按类别浏览：降压/升压和反相稳压器；电荷泵（无电感器）；降压稳压器；升压稳压器。

DDR 存储器电源 IC

高密度、高效、具有成本效益。我们拥有广泛多样的 DDR 端接器产品系列，可满足您的系统要求，同时还提供基于线性和开关稳压器的解决方案供您选择。DDR VDDQ 和 VTT 器件具有较低的内部基准，以调节低 DDR 内核和终端输出电压。与标准线性和开关稳压器相比，DDR 端接器可以灌入或拉取终端电流，并且具有外部基准输入，可跟踪 VDDQ/2 输入并生成 VTT 终端电压轨。

数字电源 IC

灵活性、高效率和集成，可满足您的动态系统需求。我们提供了最广泛的可配置和完全可编程数字电源解决方案产品系列。我们的解决方案可为您提供灵活性、高效率和集成，以满足您的动态系统需求并可降低您的总成本。

氮化镓 (GaN) IC

利用我们各种功率级别的 GaN 功率器件产品系列更大限度地提高功率密度和效率。Play Video 我们的氮化镓 (GaN) FET 系列具有集成的栅极驱动器和 GaN 功率器件，可提供具有寿命可靠性和成本优势的高效 GaN 解决方案。GaN 晶体管的开关速度比硅 MOSFET 快得多，因此可以实现更低的开关损耗。我们的 GaN IC 可用于广泛的应用，包括电信、服务器、电机驱动器和笔记本电脑适配器以及电动汽车的车载充电器。

LCD 和 OLED 显示电源和驱动器

帮助您实现最佳图像质量和最小解决方案尺寸。我们的显示电源产品系列包括 LCD 显示偏置、电平转换器和伽玛缓冲器以及 OLED 电源。这些器件可实现超高的效率，同时最大限度减小功率损耗，并帮助您在个人电子产品、工业和汽车应用中实现最佳画质。

MOSFET

为快速开关晶体管提供较低的栅极电荷和电阻 查看所有产品 TI 的 NexFET™ MOSFET 可提供各种 N 沟道和 P 沟道电源模块以及分立式电源解决方案。我们高度集成的 MOSFET 支持更高的效率、更长的电池寿命、更高的功率密度和更高的频率，可实现快速开关。这些优势可在外形小巧的封装中提供设计灵活性，并使设计工程师能够缩短产品上市时间。